Найден 41 товар
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Maxio MAP1602, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6500 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Maxio MAP1602, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6500 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5300 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/720000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5300 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/720000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/3600 MBps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/3600 MBps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 680000/800000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 680000/800000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6300 MBps, случайный доступ: 800000/1100000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6300 MBps, случайный доступ: 800000/1100000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), SLC
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), SLC
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Western Digital, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5150/4900 MBps, случайный доступ: 740000/800000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Western Digital, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5150/4900 MBps, случайный доступ: 740000/800000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3c), микросхемы 3D TLC NAND, случайный доступ: 400000/400000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3c), микросхемы 3D TLC NAND, случайный доступ: 400000/400000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/3000 MBps, случайный доступ: 300000/256000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/3000 MBps, случайный доступ: 300000/256000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт/с, случайный доступ: 850000/1350000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт/с, случайный доступ: 850000/1350000 IOps, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6000 MBps, случайный доступ: 900000/1000000 IOps, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6000 MBps, случайный доступ: 900000/1000000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5700 MBps, случайный доступ: 1000000/1200000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5700 MBps, случайный доступ: 1000000/1200000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2350/1700 МБайт/с, случайный доступ: 90000/280000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2350/1700 МБайт/с, случайный доступ: 90000/280000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 95000/85000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 95000/85000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5